1、HNDL系列大電流發生器熔斷器試驗設備
    

大電流試驗設備按照使用一般分為以下幾種：

1、單相大電流發生器

2、三相大電流發生器

3、智能型全自動大電流發生器

4、溫升大電流發生器  溫升試驗設備  JP柜溫升試驗裝置

5、直流大電流發生器

6、熔斷器大電流試驗裝置
 利用RFID技術的無源傳感器標簽功能元件芯片和傳感器標簽幸運的是，有多種集成度更高的無源感測和優化選擇。其中有RF430FRL152H，它集成了實現圖1所示功能所需的所有電路，包括用于連接到模擬傳感器的14位三角積分AD以及可用于連接數字傳感器的SPI/I2C端口。RF430FRL15xH帶有通過鐵電RAM(FRAM)實現的2KB非易失性存儲器，實現了低功耗、快速讀寫速度、無限次讀/寫耐久性和高電磁抗擾度綜合優勢。

1）基本型 可采用串并聯，主要于電力系統的一次母線保護和電流互感器變比等試驗，也可以對電流繼電器及開關行程時間、過流速斷、傳動等試驗進行整定。

2）集成型 集電流，時間，變比，極性于一體 為供電局，電廠現場測試。

3）瞬沖型  無需預調。（熔斷器測試儀）電流直接輸出額定值。對負載自適應。用于熔斷器測試。

4）溫升型  用于開關柜，母線槽等電器的溫升試驗 電子器械產品是與人體生命密切相關的產品，其人機界面設計比其它工業產品設計更具有性，應該始終以人為中心進行設計。其人機界面設計主要考慮顯示與控制部分是否合理，能否會產生誤操作，操作是否方便易行，產品作用于人體時是否滿足作用部分的生理需求等。病房顯示界面及其輔助器械的交互界面由于使用的處理器處理能力較低，設計理念比較滯后，導致使用者在使用屏幕進行交互操作時有一種遲滯的感覺，并且整體界面設計給人的感受比較呆板。

功能特點：

1 采用進口0.23鐵芯，電效率高鐵心無氣隙，疊裝系數可高達95％以上，鐵心磁導率可取1.5～1.8T（疊片式鐵心只能取1.2～1.4T），電效率高達95％以上，空載電流只有疊片式的10％。

2  采用環形設計。體積小重量輕，環形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

　3 磁干擾較小環形變壓器鐵心沒有氣隙，繞組均勻地繞在環形的鐵心上，這種結構導致了漏磁小，電磁輻射也小，無需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準度的電子設備上采用  值得注意的還有新近崛起，由Dialog與Energous合作推動的無線電充電技術WattUp。以下就讓我們來進一步了解這些無線充電技術。利用磁場傳電磁感應磁共振雙?；?，磁感應技術可說是較早獲得采用的無線充電技術。此技術以磁感應進行無線方式傳輸電能，主要是通過兩個線圈之間產生的電感耦合進行。發送線圈內的交流電形成震蕩磁場，處于該磁場感應范圍內的接收線圈發生電磁感應，產生感應電流。然而，由于自感、補償架構的不同，以及不同線圈搭配產生的不同互感，任何充電線圈之間都不大可能擁有相同的屬性，因此兩塊不同廠家的充電線圈(chargingpad)設備之間要需要有良好適配。

4  采用0.2級數字式真有效值電流表顯示，準度高。而且無需外附標準CT及其他附件，簡潔直觀。  

5 采用0.2S級高準度電流互感器，保證電流信號的線性度和高準度輸出.

6 內置高準度毫秒計。滿足時間高準度測試的需要。           

任何光滑或拋光的金屬物體都可能會反射紅外輻射，這就可能給監測管道或機械過熱部件的人帶來困難。但是氧化過的金屬或被涂上冰銅材料的金屬更容易測量。紅外熱像儀可能永遠不可以“穿透”金屬物體，但金屬內部材料造成的溫差，會反應在金屬表層，這樣用紅外熱像儀查看，同樣可以達到檢測效果。用紅外熱像儀很容易看到這些罐子有多滿，因為里面的液體在金屬表面造成溫差熱成像能穿透塑料嗎？我們可以紅外熱像儀做一個有趣的小實驗：在一個溫暖的物體或人面前舉起一張薄薄的不透明的塑料片。技術參數：                        

輸入電源：AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出：0－ 1000A        準度：0.5或0.2  分辨率：0.01A

電流輸出：1000－ 5000A     準度：0.5或0.2  分辨率：0.1A

電流輸出：5000－ 10000A    準度：0.5 或0.2 分辨率：1A

電流輸出：10000－50000A    準度：0.5 或0.2 分辨率：1A

輸出端開口電壓：≥6V

時間測試：0.001S－9999.999S  分辨率：0.001S

熔斷器試驗設備與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的電容指標已經提高，這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數分析儀，使用Clarius+軟件進行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進行穩定的弱電流測量的多種應用實例，包括測試：平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點、通過開關矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測量、電容器泄漏測量。半導體生產流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環節的相關知識經常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環節。集成電路設計、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。